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IPT007N06NATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 300A, 175DEG C, 375W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT007N06NATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2078
Segmento de fita50Y2078
Também conhecido porIPT007N06N, SP001100158
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.590 | $ 7.59 |
| Total Preço | $ 7.59 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.590 |
| 10+ | $ 4.890 |
| 25+ | $ 4.540 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPT007N06NATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2078
Segmento de fita50Y2078
Também conhecido porIPT007N06N, SP001100158
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance750µohm
On Resistance Rds(on)660µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd375W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IPT007N06NATMA1
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
IPT007N06NATMA1 is a N-channel power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
- Industry's lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
660µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
375W
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
