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IPP80P03P4L04AKSA2
MOSFET,AEC-Q101,P-CH,-30V,-80A,137W ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP80P03P4L04AKSA2
Código Newark51AH5918
Gama de produtosOptiMOS-P2 Series
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP80P03P4L04AKSA2
Código Newark51AH5918
Gama de produtosOptiMOS-P2 Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd137W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation137W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
- P-channel - Logic Level - Enhancement mode
- AEC qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green package (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
- Intended for reverse battery protection
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
137W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto