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IPP120P04P4L03AKSA2
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP120P04P4L03AKSA2
Código Newark51AH5917
Gama de produtosOptiMOS-P2 Series
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPP120P04P4L03AKSA2
Código Newark51AH5917
Gama de produtosOptiMOS-P2 Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd136W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
136W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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