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IPDD60R180CM8XTMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, HDSOP
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPDD60R180CM8XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AM0959RL
Segmento de fita12AM0959
Gama de produtosCoolMOS CM8 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.870 | $ 2.87 |
| Total Preço | $ 2.87 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.870 |
| 10+ | $ 1.850 |
| 25+ | $ 1.660 |
| 50+ | $ 1.470 |
| 100+ | $ 1.280 |
| 250+ | $ 1.170 |
| 500+ | $ 1.070 |
| 1000+ | $ 0.972 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPDD60R180CM8XTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida12AM0959RL
Segmento de fita12AM0959
Gama de produtosCoolMOS CM8 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleHDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
Power Dissipation169W
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CM8 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.7V
No. of Pins
10Pins
Product Range
CoolMOS CM8 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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