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IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -30V, -90A, 137W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD90P03P4L04ATMA2
Código Newark51AH5913
Gama de produtosOptiMOS-P2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.010 |
| 10+ | $ 1.950 |
| 25+ | $ 1.740 |
| 50+ | $ 1.550 |
| 100+ | $ 1.340 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.080 |
| 1000+ | $ 1.010 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.01
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD90P03P4L04ATMA2
Código Newark51AH5913
Gama de produtosOptiMOS-P2
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd137W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation137W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
137W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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