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IPD70N12S311ATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 70A, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD70N12S311ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5229
Segmento de fita58AJ2303
Gama de produtosOptiMOS T Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 1 | $ 0.874 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.87 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.090 |
| 10+ | $ 1.800 |
| 25+ | $ 1.650 |
| 50+ | $ 1.480 |
| 100+ | $ 1.330 |
| 250+ | $ 1.240 |
| 500+ | $ 1.130 |
| 1000+ | $ 1.070 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10000+ | $ 0.874 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD70N12S311ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5229
Segmento de fita58AJ2303
Gama de produtosOptiMOS T Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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