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IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 62.5W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD65R660CFDAATMA1
Código Newark39AH8910
Gama de produtosCoolMOS CFDA
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.490 |
| 10+ | $ 1.600 |
| 25+ | $ 1.420 |
| 50+ | $ 1.260 |
| 100+ | $ 1.080 |
| 250+ | $ 0.975 |
| 500+ | $ 0.866 |
| 1000+ | $ 0.795 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.49
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD65R660CFDAATMA1
Código Newark39AH8910
Gama de produtosCoolMOS CFDA
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.594ohm
On Resistance Rds(on)0.594ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.594ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.594ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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