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IPD50R950CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 500V, 6.6A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD50R950CEAUMA1
Código Newark38AJ3773
Gama de produtosCoolMOS CE
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.906 |
| 10+ | $ 0.540 |
| 25+ | $ 0.482 |
| 50+ | $ 0.424 |
| 100+ | $ 0.367 |
| 250+ | $ 0.324 |
| 500+ | $ 0.281 |
| 1000+ | $ 0.253 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.91
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD50R950CEAUMA1
Código Newark38AJ3773
Gama de produtosCoolMOS CE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Drain Source On State Resistance0.86ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage13V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation53W
Power Dissipation Pd53W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
13V
Power Dissipation
53W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
53W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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