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IPD35N10S3L26ATMA2
MOSFET, N-CH, 100V, 35A, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD35N10S3L26ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8607RL
Segmento de fita26AM8607
Gama de produtosOptiMOS-T Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.440 | $ 2.44 |
| Total Preço | $ 2.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.440 |
| 10+ | $ 1.570 |
| 25+ | $ 1.390 |
| 50+ | $ 1.230 |
| 100+ | $ 1.060 |
| 250+ | $ 0.953 |
| 500+ | $ 0.846 |
| 1000+ | $ 0.777 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD35N10S3L26ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8607RL
Segmento de fita26AM8607
Gama de produtosOptiMOS-T Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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