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IPD30N12S3L31ATMA2
MOSFET, N-CH, 120V, 30A, TO-252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD30N12S3L31ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8606RL
Segmento de fita26AM8606
Gama de produtosOptiMOS-T Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 11 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.631 | $ 0.63 |
| Total Preço | $ 0.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.631 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD30N12S3L31ATMA2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM8606RL
Segmento de fita26AM8606
Gama de produtosOptiMOS-T Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation57W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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