Imprimir página
IPD096N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 73 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
89 Em Estoque
Precisa de mais?
Envio no mesmo dia
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.950 | $ 1.95 |
| Total Preço | $ 1.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.950 |
| 10+ | $ 1.250 |
| 25+ | $ 1.110 |
| 50+ | $ 0.971 |
| 100+ | $ 0.833 |
| 250+ | $ 0.747 |
| 500+ | $ 0.660 |
| 1000+ | $ 0.615 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD096N08N3GATMA1
Código Newark
Rodo à Medida34AC1666
Segmento de fita34AC1666
Gama de produtosOptiMOS 3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id73A
On Resistance Rds(on)0.0079ohm
Drain Source On State Resistance0.0096ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd100W
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- OptiMOS™3 power transistor ideal for high frequency switching
- Optimized technology for DC/DC converters
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target application
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0079ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
100W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
73A
Drain Source On State Resistance
0.0096ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto