Imprimir página
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET, N CH, 80V, 90A, TO-252-3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD053N08N3GATMA1
Código Newark60R2692
Gama de produtosOptiMOS 3 Series
Também conhecido porIPD053N08N3 G, SP001127818
Seu número de peça
15,114 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.880 |
| 10+ | $ 1.960 |
| 100+ | $ 1.440 |
| 500+ | $ 1.240 |
| 1000+ | $ 1.160 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.88
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD053N08N3GATMA1
Código Newark60R2692
Gama de produtosOptiMOS 3 Series
Também conhecido porIPD053N08N3 G, SP001127818
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
On Resistance Rds(on)0.0044ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPD053N08N3GATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos