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IPD030N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 99A, TO-252
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD030N03LF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida20AM0209RL
Segmento de fita20AM0209
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.580 | $ 1.58 |
| Total Preço | $ 1.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.580 |
| 10+ | $ 0.997 |
| 25+ | $ 0.886 |
| 50+ | $ 0.774 |
| 100+ | $ 0.662 |
| 250+ | $ 0.590 |
| 500+ | $ 0.518 |
| 1000+ | $ 0.472 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD030N03LF2SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida20AM0209RL
Segmento de fita20AM0209
Gama de produtosStrongIRFET 2 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id99A
Drain Source On State Resistance3050µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
99A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3050µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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