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IPD025N06NATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-252-3
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD025N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5187
Rodo à Medida50Y2018RL
Segmento de fita50Y2018
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5,103 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.960 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 4.80 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 3.110 |
| 10+ | $ 2.020 |
| 25+ | $ 1.800 |
| 50+ | $ 1.600 |
| 100+ | $ 1.390 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.960 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPD025N06NATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5187
Rodo à Medida50Y2018RL
Segmento de fita50Y2018
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance2500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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