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IPB320N20N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB320N20N3GATMA1
Código Newark47W3467
Também conhecido porIPB320N20N3 G, SP000691172
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.020 |
| 10+ | $ 2.640 |
| 25+ | $ 2.370 |
| 50+ | $ 2.110 |
| 100+ | $ 1.840 |
| 250+ | $ 1.680 |
| 500+ | $ 1.510 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB320N20N3GATMA1
Código Newark47W3467
Também conhecido porIPB320N20N3 G, SP000691172
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id34A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd136W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB320N20N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Industrial, Audio, LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management, Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
136W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IPB320N20N3GATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
