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IPB200N25N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB200N25N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5173
Rodo à Medida79X1433RL
Segmento de fita79X1433
Também conhecido porIPB200N25N3 G, SP000677896
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.840 | $ 7.84 |
| Total Preço | $ 7.84 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.840 |
| 50+ | $ 4.230 |
| 100+ | $ 3.900 |
| 250+ | $ 3.880 |
| 500+ | $ 3.760 |
| 1000+ | $ 3.680 |
| 2500+ | $ 3.610 |
| 5000+ | $ 3.530 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 3.530 |
| 3000+ | $ 3.520 |
| 5000+ | $ 3.450 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB200N25N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5173
Rodo à Medida79X1433RL
Segmento de fita79X1433
Também conhecido porIPB200N25N3 G, SP000677896
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id64A
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB200N25N3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Lighting, Audio
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto