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IPB175N20NM6ATMA1
MOSFET, N-CH, 200V, 61A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB175N20NM6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida45AM3861RL
Segmento de fita45AM3861
Gama de produtosOptiMOS 6 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.120 | $ 4.12 |
| Total Preço | $ 4.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.120 |
| 10+ | $ 2.700 |
| 25+ | $ 2.430 |
| 50+ | $ 2.160 |
| 100+ | $ 1.900 |
| 250+ | $ 1.730 |
| 500+ | $ 1.570 |
| 1000+ | $ 1.460 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB175N20NM6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida45AM3861RL
Segmento de fita45AM3861
Gama de produtosOptiMOS 6 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.0155ohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation203W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
203W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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