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IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB160N04S4H1ATMA1
Código Newark12AC9703
Gama de produtosOptiMOS-T2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.620 |
| 10+ | $ 2.360 |
| 25+ | $ 2.120 |
| 50+ | $ 1.870 |
| 100+ | $ 1.640 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.330 |
| 1000+ | $ 1.230 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.62
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB160N04S4H1ATMA1
Código Newark12AC9703
Gama de produtosOptiMOS-T2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance1400µohm
On Resistance Rds(on)0.0014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation167W
Power Dissipation Pd167W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
No. of Pins
7Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
On Resistance Rds(on)
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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