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IPB120N06S403ATMA2
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, 175DEG C, 167W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB120N06S403ATMA2
Código Newark42AH1819
Gama de produtosOptiMOS-T2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.180 |
| 10+ | $ 2.870 |
| 25+ | $ 2.630 |
| 50+ | $ 2.380 |
| 100+ | $ 2.130 |
| 250+ | $ 1.970 |
| 500+ | $ 1.810 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.18
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB120N06S403ATMA2
Código Newark42AH1819
Gama de produtosOptiMOS-T2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance2300µohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd167W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
167W
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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