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IPB117N20NFDATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 84 A, 0.0117 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB117N20NFDATMA1
Código Newark
Rodo à Medida97Y1821
Segmento de fita97Y1821
Gama de produtosOptiMOS FD
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.630 | $ 6.63 |
| Total Preço | $ 6.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.630 |
| 10+ | $ 4.670 |
| 25+ | $ 4.650 |
| 50+ | $ 4.020 |
| 100+ | $ 3.390 |
| 250+ | $ 3.180 |
| 500+ | $ 2.990 |
| 1000+ | $ 2.900 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB117N20NFDATMA1
Código Newark
Rodo à Medida97Y1821
Segmento de fita97Y1821
Gama de produtosOptiMOS FD
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id84A
On Resistance Rds(on)0.0103ohm
Drain Source On State Resistance0.0117ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS FD
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
- 200V OptiMOS™ FD power-transistor
- N-channel, normal level
- Fast diode(FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.0103ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS FD
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Drain Source On State Resistance
0.0117ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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