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IPB027N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB027N10N3GATMA1
Código Newark
Rolo completo86AK5151
Rodo à Medida85X6013
Segmento de fita85X6013
Também conhecido porIPB027N10N3 G, SP000506508
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.930 | $ 5.93 |
| Total Preço | $ 5.93 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.930 |
| 10+ | $ 3.960 |
| 25+ | $ 3.570 |
| 50+ | $ 3.200 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.990 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB027N10N3GATMA1
Código Newark
Rolo completo86AK5151
Rodo à Medida85X6013
Segmento de fita85X6013
Também conhecido porIPB027N10N3 G, SP000506508
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB027N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free, Green device
- MSL1 rated 2
Aplicações
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IPB027N10N3GATMA1
8 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos