Imprimir página
IPB025N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB025N10N3GATMA1
Código Newark47W3462
Também conhecido porIPB025N10N3 G, SP000469888
Seu número de peça
11,440 Em Estoque
Precisa de mais?
581 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
10859 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 20:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.320 |
| 10+ | $ 4.930 |
| 25+ | $ 4.480 |
| 50+ | $ 4.030 |
| 100+ | $ 3.570 |
| 250+ | $ 3.470 |
| 500+ | $ 3.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.32
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB025N10N3GATMA1
Código Newark47W3462
Também conhecido porIPB025N10N3 G, SP000469888
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
On Resistance Rds(on)0.002ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB025N10N3 G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS (on) and FOM (Figure of Merit). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Audio
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
0.002ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IPB025N10N3GATMA1
3 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto