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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB016N06L3GATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2001
Segmento de fita50Y2001
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.240 | $ 5.24 |
| Total Preço | $ 5.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.240 |
| 10+ | $ 3.210 |
| 25+ | $ 2.970 |
| 50+ | $ 2.730 |
| 100+ | $ 2.480 |
| 250+ | $ 2.330 |
| 500+ | $ 2.170 |
| 1000+ | $ 2.030 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB016N06L3GATMA1
Código Newark
Rodo à Medida50Y2001
Segmento de fita50Y2001
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Drain Source On State Resistance0.0016ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IPB016N06L3GATMA1
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
Optima's™ 3 power-transistor ideal for fast switching applications. Typical applications include synchronous rectification, solar micro inverter, isolated DC-DC converters, motor control for 12-48V systems, Or-ing switches.
- Optimized technology for DC/DC converters
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- System cost reduction
- Very low voltage overshoot
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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