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IPAN60R360PFD7SXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPAN60R360PFD7SXKSA1
Código Newark78AH7256
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.760 |
| 10+ | $ 0.843 |
| 100+ | $ 0.752 |
| 500+ | $ 0.593 |
| 1000+ | $ 0.591 |
| 2500+ | $ 0.588 |
| 10000+ | $ 0.543 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.76
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPAN60R360PFD7SXKSA1
Código Newark78AH7256
Gama de produtosCoolMOS PFD7 SJ Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.36ohm
On Resistance Rds(on)0.303ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation23W
Power Dissipation Pd23W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
23W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.303ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto