Imprimir página
IPA80R1K4CEXKSA2
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-220FP-3
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
115 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.300 |
| 10+ | $ 1.420 |
| 100+ | $ 1.120 |
| 500+ | $ 0.917 |
| 1000+ | $ 0.807 |
| 2500+ | $ 0.797 |
| 10000+ | $ 0.786 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.30
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPA80R1K4CEXKSA2
Código Newark13AC9018
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)1.22ohm
Drain Source On State Resistance1.22ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd31W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1.22ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
31W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
1.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos