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IMZC120R026M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMZC120R026M2HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark20AM0200
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 20.700 |
| 10+ | $ 18.490 |
| 25+ | $ 16.300 |
| 50+ | $ 14.100 |
| 100+ | $ 13.380 |
| 480+ | $ 12.650 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMZC120R026M2HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark20AM0200
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation289W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
69A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
289W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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