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IMW65R050M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R050M2HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark97AK4564
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.440 |
| 10+ | $ 5.310 |
| 25+ | $ 5.040 |
| 50+ | $ 4.760 |
| 100+ | $ 4.480 |
| 480+ | $ 4.170 |
| 720+ | $ 3.850 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R050M2HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark97AK4564
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation153W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
153W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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