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IMTA65R050M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMTA65R050M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM7991RL
Segmento de fita03AM7991
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
Seu número de peça
1,878 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.140 | $ 7.14 |
| Total Preço | $ 7.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.140 |
| 10+ | $ 4.800 |
| 25+ | $ 4.360 |
| 50+ | $ 3.910 |
| 100+ | $ 3.480 |
| 250+ | $ 3.370 |
| 500+ | $ 3.270 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMTA65R050M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM7991RL
Segmento de fita03AM7991
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleLHSOF
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation197W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
LHSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
197W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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