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IMBG75R011M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 750V, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG75R011M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark14AN9654
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 22.280 |
| 10+ | $ 20.880 |
| 25+ | $ 19.200 |
| 50+ | $ 17.850 |
| 100+ | $ 16.360 |
| 250+ | $ 15.350 |
| 500+ | $ 14.570 |
| 1000+ | $ 13.700 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 22.28
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG75R011M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark14AN9654
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id129A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.0138ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation416W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
129A
Drain Source On State Resistance
0.0138ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
416W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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