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IMBG65R040M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R040M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4559RL
Segmento de fita97AK4559
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 9.620 | $ 9.62 |
| Total Preço | $ 9.62 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.620 |
| 50+ | $ 5.300 |
| 100+ | $ 4.930 |
| 250+ | $ 4.830 |
| 500+ | $ 4.730 |
| 1000+ | $ 4.630 |
| 2500+ | $ 4.540 |
| 5000+ | $ 4.440 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R040M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4559RL
Segmento de fita97AK4559
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation197W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
197W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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