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IMBG65R033M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R033M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1429RL
Segmento de fita22AM1429
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 10.860 | $ 10.86 |
| Total Preço | $ 10.86 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.860 |
| 10+ | $ 8.480 |
| 25+ | $ 7.880 |
| 50+ | $ 7.560 |
| 100+ | $ 7.230 |
| 250+ | $ 7.130 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R033M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM1429RL
Segmento de fita22AM1429
Gama de produtosCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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