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IMBG120R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R026M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark97AK2407
Gama de produtosCoolSiC Mosfet 1200V G2
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.680 |
| 10+ | $ 10.690 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R026M2HXTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark97AK2407
Gama de produtosCoolSiC Mosfet 1200V G2
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0254ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation335W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0254ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
335W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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