Imprimir página
IKW50N60H3FKSA1
IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIKW50N60H3FKSA1
Código Newark50Y1991
Também conhecido porIKW50N60H3, SP000852244
Seu número de peça
347 Em Estoque
Precisa de mais?
50 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
297 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 20:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.960 |
| 10+ | $ 7.850 |
| 25+ | $ 6.730 |
| 50+ | $ 5.620 |
| 100+ | $ 5.250 |
| 480+ | $ 4.890 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.96
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIKW50N60H3FKSA1
Código Newark50Y1991
Também conhecido porIKW50N60H3, SP000852244
Ficha técnica
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd333W
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max600V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IKW50N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Especificações Técnicas
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
333W
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
333W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
