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IGT65R140D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT65R140D2XTMA1
Código Newark22AM1427
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Seu número de peça
1,990 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.000 |
| 10+ | $ 3.610 |
| 25+ | $ 3.370 |
| 50+ | $ 3.110 |
| 100+ | $ 2.800 |
| 250+ | $ 2.360 |
| 500+ | $ 2.280 |
| 1000+ | $ 2.180 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.00
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT65R140D2XTMA1
Código Newark22AM1427
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Typical Gate Charge1.8nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
13A
Typical Gate Charge
1.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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