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IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT65R025D2XTMA1
Código Newark22AM1424
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Seu número de peça
1,930 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 12.630 |
| 10+ | $ 11.320 |
| 25+ | $ 10.740 |
| 50+ | $ 9.650 |
| 100+ | $ 8.850 |
| 250+ | $ 7.930 |
| 500+ | $ 7.530 |
| 1000+ | $ 7.080 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 12.63
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT65R025D2XTMA1
Código Newark22AM1424
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
HSOF
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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