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IGT60R190D1ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT60R190D1ATMA1Cópia
Código Newark78AK6124
Gama de produtosCoolGaN Series
Seu número de peça
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT60R190D1ATMA1Cópia
Código Newark78AK6124
Gama de produtosCoolGaN Series
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StylePG-HSOF-8-3
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
PG-HSOF-8-3
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
12A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
To Be Advised
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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