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IGLD65R080D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLD65R080D2AUMA1
Código Newark26AM1117
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.470 |
| 10+ | $ 3.710 |
| 25+ | $ 3.390 |
| 50+ | $ 3.080 |
| 100+ | $ 2.760 |
| 250+ | $ 2.700 |
| 500+ | $ 2.640 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.47
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLD65R080D2AUMA1
Código Newark26AM1117
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Typical Gate Charge3.3nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
18A
Typical Gate Charge
3.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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