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FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFS33MR12W1M1HB70BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark90AK4813
Gama de produtosEasyPACK Series
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFS33MR12W1M1HB70BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark90AK4813
Gama de produtosEasyPACK Series
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0323ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include high-frequency switching applications, DC/DC converters, motor drives, and UPS systems.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, low switching losses
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, PressFIT contact technology
- Integrated NTC temperature sensor, AlN substrate with low thermal resistance
- Drain-source leakage current is 0.015µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 25A at TH = 120°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 50A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Storage temperature range from -40 to 125°C
- Drain-source on-resistance is 32.3mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 25A
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.0323ohm
No. of Pins
23Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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