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FS150R12KT3BOSA1
IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFS150R12KT3BOSA1
Código Newark13AC8749
Gama de produtosEconoPACK 3
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 127.300 |
| 5+ | $ 115.360 |
| 10+ | $ 103.410 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFS150R12KT3BOSA1
Código Newark13AC8749
Gama de produtosEconoPACK 3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
DC Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd700W
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature, Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPACK 3
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
EconoPACK™ 3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and emitter controlled high efficiency diode.
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
700W
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoPACK 3
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
700W
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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