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FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF17MR12W1M1HPB11BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark78AK5645
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 68.270 |
| 5+ | $ 60.060 |
| 10+ | $ 51.850 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF17MR12W1M1HPB11BPSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark78AK5645
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0162ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0162ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
CoolSiC Trench Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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