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BSS84PH6327XTSA2
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código Newark
Rolo completo86AK4572
Segmento de fita96K7114
Gama de produtosSIPMOS Series
Também conhecido porBSS84P H6327, SP000929186
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.032 | $ 0.03 |
| Total Preço | $ 0.03 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.292 | $ 0.032 |
| 10+ | $ 0.181 | $ 0.032 |
| 25+ | $ 0.160 | $ 0.032 |
| 50+ | $ 0.138 | $ 0.032 |
| 100+ | $ 0.117 | $ 0.032 |
| 250+ | $ 0.103 | $ 0.032 |
| 500+ | $ 0.089 | $ 0.032 |
| 1000+ | $ 0.080 | $ 0.032 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 18000+ | $ 0.056 |
| 36000+ | $ 0.052 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código Newark
Rolo completo86AK4572
Segmento de fita96K7114
Gama de produtosSIPMOS Series
Também conhecido porBSS84P H6327, SP000929186
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance8ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd360mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSS84PH6327XTSA2
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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