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BSS119NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS119NH6327XTSA1
Código Newark
Rodo à Medida68AC4424
Segmento de fita68AC4424
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.028 | $ 0.03 |
| Total Preço | $ 0.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.370 | $ 0.028 |
| 10+ | $ 0.229 | $ 0.028 |
| 25+ | $ 0.202 | $ 0.028 |
| 50+ | $ 0.176 | $ 0.028 |
| 100+ | $ 0.149 | $ 0.028 |
| 250+ | $ 0.131 | $ 0.028 |
| 500+ | $ 0.114 | $ 0.028 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS119NH6327XTSA1
Código Newark
Rodo à Medida68AC4424
Segmento de fita68AC4424
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance6ohm
On Resistance Rds(on)2.406ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para BSS119NH6327XTSA1
4 produtos encontrados
Descrição geral do produto
- 100V, 0.19A OptiMOS™ N-channel small signal transistor in 3 pin SOT-23 package
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
On Resistance Rds(on)
2.406ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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