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BSC0921NDIATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 3.9 ohm, TISON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC0921NDIATMA1
Código Newark
Rodo à Medida13AC8337
Segmento de fita13AC8337
Gama de produtosOptiMOS Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.220 | $ 2.22 |
| Total Preço | $ 2.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.220 |
| 10+ | $ 1.370 |
| 25+ | $ 1.240 |
| 50+ | $ 1.090 |
| 100+ | $ 0.953 |
| 250+ | $ 0.863 |
| 500+ | $ 0.774 |
| 1000+ | $ 0.682 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC0921NDIATMA1
Código Newark
Rodo à Medida13AC8337
Segmento de fita13AC8337
Gama de produtosOptiMOS Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0039ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0039ohm
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET
- Optimized for high performance buck converter
- Logic level (4.5V rated)
- N-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0039ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
40A
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0039ohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto