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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.350 |
| 10+ | $ 0.586 |
| 25+ | $ 0.535 |
| 50+ | $ 0.482 |
| 100+ | $ 0.431 |
| 250+ | $ 0.398 |
| 500+ | $ 0.364 |
| 1000+ | $ 0.328 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC032NE2LSATMA1
Código Newark13AC8329
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance2700µohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd37W
Power Dissipation37W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
37W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos