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BFP650H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBFP650H6327XTSA1
Código Newark
Rolo completo86AK4388
Rodo à Medida85X4135
Segmento de fita85X4135
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 17 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.536 | $ 2.68 |
| Total Preço | $ 2.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.536 |
| 10+ | $ 0.380 |
| 25+ | $ 0.339 |
| 50+ | $ 0.317 |
| 100+ | $ 0.295 |
| 250+ | $ 0.274 |
| 500+ | $ 0.261 |
| 1000+ | $ 0.250 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.235 |
| 6000+ | $ 0.231 |
| 12000+ | $ 0.228 |
| 18000+ | $ 0.225 |
| 30000+ | $ 0.220 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBFP650H6327XTSA1
Código Newark
Rolo completo86AK4388
Rodo à Medida85X4135
Segmento de fita85X4135
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo4.5V
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency42GHz
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
DC Collector Current150mA
Continuous Collector Current150mA
Transistor Case StyleSOT-343
DC Current Gain hFE100hFE
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseSOT-343
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
High linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistor. Suitable for applications like low noise, high linearity amplifiers in SDARS receivers, low noise, high linearity amplifiers for ISM band applications and low noise, high linearity amplifiers for multimedia applications such as CATV.
- Based on SiGe:C technology
- Suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 5GHz
- Remains cost competitive without compromising on ease of use
- Minimum noise figure NFmin = 1dB at 2.4GHz, 3V, 30mA
- High gain Gma = 17.5dB at 2.4GHz, 3V, 70mA
- OIP3 = 30dBm at 2.4GHz, 3V, 70mA
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
500mW
DC Collector Current
150mA
Transistor Case Style
SOT-343
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
4.5V
Transition Frequency
42GHz
Power Dissipation Pd
500mW
Continuous Collector Current
150mA
DC Current Gain hFE
100hFE
RF Transistor Case
SOT-343
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para BFP650H6327XTSA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
