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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 29 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.210 | $ 5.21 |
| Total Preço | $ 5.21 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.210 |
| 10+ | $ 3.650 |
| 25+ | $ 3.360 |
| 50+ | $ 3.060 |
| 100+ | $ 2.770 |
| 250+ | $ 2.700 |
| 500+ | $ 2.630 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7736M2TR
Código Newark
Rodo à Medida91Y4163
Segmento de fita91Y4163
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance2500µohm
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Transistor Case StyleDirectFET M4
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd63W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2500µohm
Transistor Case Style
DirectFET M4
Power Dissipation Pd
63W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos