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G2R120MT33J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 3.3 kV, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R120MT33J
Código Newark89AH0975
Seu número de peça
Ficha técnica
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 8 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 100+ | $ 94.15 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 150
Vários: 150
$ 14,122.50
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R120MT33J
Código Newark89AH0975
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation366W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
366W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos