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DIW120SIC023-AQ
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 125 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC
Nº da peça do fabricanteDIW120SIC023-AQCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark16AM8165
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 29.820 |
| 5+ | $ 29.230 |
| 10+ | $ 28.640 |
| 25+ | $ 28.340 |
| 50+ | $ 28.040 |
| 100+ | $ 26.860 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIOTEC
Nº da peça do fabricanteDIW120SIC023-AQCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark16AM8165
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id125A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
125A
Drain Source On State Resistance
23mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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