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DI200N10D2
MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 200A, TO-263AB
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FabricanteDIOTEC
Nº da peça do fabricanteDI200N10D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark29AM8400
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469 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.430 |
| 10+ | $ 3.070 |
| 25+ | $ 2.810 |
| 50+ | $ 2.550 |
| 100+ | $ 2.270 |
| 250+ | $ 2.020 |
| 500+ | $ 1.870 |
| 1000+ | $ 1.790 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.43
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Informação do produto
FabricanteDIOTEC
Nº da peça do fabricanteDI200N10D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark29AM8400
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance2300µohm
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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