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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDI0A35N06PGKCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark11AN2640
Seu número de peça
Disponível para encomenda
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.192 |
| 10+ | $ 0.130 |
| 100+ | $ 0.064 |
| 500+ | $ 0.039 |
| 1000+ | $ 0.029 |
| 2500+ | $ 0.025 |
| 10000+ | $ 0.024 |
| 25000+ | $ 0.023 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.19
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Informação do produto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDI0A35N06PGKCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark11AN2640
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id350mA
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-883
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation223mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350mA
Transistor Case Style
SOT-883
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
223mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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